[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910114786.2 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN110896067A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 本乡悟史 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够良好地贴合多个半导体衬底上的材料层的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备第1半导体衬底、第1绝缘膜、第1金属层、第1电极部、第2半导体衬底、第2绝缘膜、及第2电极部。第1绝缘膜设置在第1半导体衬底的第1面，且形成着第1槽。第1金属层被覆第1槽的内表面。第1电极部设置在第1金属层上并嵌入至第1槽内。第2半导体衬底具有与第1半导体衬底的第1面对向的第2面。第2绝缘膜设置在第2半导体衬底的第2面，与第1绝缘膜贴合，且形成着第2槽。第2电极部嵌入至第2槽内，并与第1电极部连接。第1金属层的端部比第1绝缘膜的表面更向第1半导体衬底侧凹陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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