[发明专利]半导体存储装置

摘要

一种半导体存储装置。具备包含在第1方向层叠的多个第1或第2导电层且在第2方向相邻的第1及第2层叠体、在上述层叠体间配设于第3方向并具备与多个第1、第2导电层相对的第1及第2半导体层及设置于它们间的第1绝缘层的多个半导体部、及设置于在第3方向相邻的半导体部间的第2绝缘层。第1绝缘层的第2方向的宽度在第1方向的第1及第2位置处为极大。设与第1方向交叉且第1绝缘层的第2方向的宽度在第1及第2位置间最小的截面为第1截面、设第1截面中从第2绝缘层的几何学重心至第1或第2层叠体的最短距离为D1、设与第1方向交叉且第1绝缘层的第2方向的宽度最大的截面为第2截面、设第2截面中第1及第2层叠体的与预定半导体部的相对面间的距离为D2，2D1＞D2成立。