[发明专利]碳化硅MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910116289.6 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN109755322A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 卓廷厚;李钊君;刘延聪 | 申请（专利权）人： | 厦门芯光润泽科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人： | 吴圳添 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬高新区*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法。所述碳化硅MOSFET器件自下而上包括漏电极，N+衬底和N‑外延层；N‑外延层具有第一P‑阱区，第一P‑阱区中具有P+区和N+区；还包括：第一金属，第一金属与P+区上表面和部分N+区上表面形成第一欧姆接触；第二P‑阱区，位于相邻两个第一P‑阱区之间，第二P‑阱区与两侧的第一P‑阱区均具有第一间隔，第二P‑阱区包围有沟槽；第二金属，第二金属覆盖沟槽表面以形成第二欧姆接触，第二金属同时覆盖第一间隔上表面以形成肖特基接触。所述碳化硅MOSFET器件提升器件续流能力的同时，防止肖特基接触区在器件工作在高压阻断模式时泄漏电流过大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阱区 碳化硅MOSFET 金属 上表面 肖特基接触 欧姆接触 外延层 制备 沟槽表面 提升器件 漏电极 衬底 覆盖 续流 泄漏 包围 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述器件自下而上包括漏电极，N+衬底和N‑外延层；所述N‑外延层具有第一P‑阱区，所述第一P‑阱区中具有P+区和N+区；还包括：第一金属，所述第一金属与所述P+区上表面和部分所述N+区上表面形成第一欧姆接触；栅介质层，位于部分所述N+区、部分所述第一P‑阱区和部分所述N‑外延层上表面；栅极，位于所述栅介质层上；隔离介质层，覆盖所述栅极侧面和所述栅极上表面；至少一个第二P‑阱区，所述第二P‑阱区位于相邻两个所述第一P‑阱区之间，所述第二P‑阱区与所述第一P‑阱区之间具有第一间隔，所述第二P‑阱区包围有沟槽；第二金属，所述第二金属覆盖所述沟槽表面以形成第二欧姆接触，所述第二金属同时覆盖所述第一间隔上表面以形成肖特基接触；第三金属，所述第三金属覆盖所述隔离介质层、所述第一金属和所述第二金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门芯光润泽科技有限公司，未经厦门芯光润泽科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910116289.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：绝缘栅型碳化硅半导体装置及其制造方法
- 下一篇：薄膜晶体管及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
