[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201910116388.4 | 申请日: | 2019-02-15 |
公开(公告)号: | CN111584643A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 辛科;杨立红 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0392;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明是关于一种太阳能电池及其制造方法,涉及太阳能电池技术领域。主要采用的技术方案为:太阳能电池,其包括:依次层叠设置于基板一侧表面的底电极层、光吸收层、缓冲层及前电极层;其中,所述缓冲层包括Zn(S,O)膜层;所述前电极层包括掺硼氧化锌膜层。本发明实施例提供的太阳能电池,其缓冲层为Zn(S,O)膜层,其光学带隙比硫化镉层的光学带隙宽,所以能够能透过更多的太阳能,尤其是波长为380‑500nm的太阳光,进而增加太阳光进入光吸收层的量,有效的提升太阳能电池的光电转换效率,使太阳能电池更加适于实用。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的