[发明专利]形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910117136.3 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN110164816A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 河阪俊行;仓知俊介 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张苏娜;樊晓焕 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成半导体器件的方法，其中该半导体器件设有衬底。该方法包括以下步骤：(a)在衬底的次表面和衬底中设置的衬底通孔内沉积含有镍(Ni)的第一金属层；(b)通过电镀在第一金属层上沉积第二金属层；(c)在第二金属层上沉积第三金属层，其中第三金属层包含Ni和钛(Ti)中的至少一者；(d)通过部分地去除第三金属层，从而暴露除了衬底通孔和衬底通孔的周边之外的部分中的第二金属层；和(e)通过在衬底的次表面和组装衬底之间插入焊料，从而将半导体器件贴片在组装衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体器件 第二金属层 金属层 通孔 沉积 第一金属层 次表面 焊料 电镀 去除 贴片 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，该半导体器件设有具有主表面和与所述主表面相对的次表面的衬底，所述主表面在其中设有半导体有源器件，所述衬底具有衬底通孔，该衬底通孔从所述次表面穿过到达所述主表面中的所述半导体有源器件，所述方法包括以下步骤：在所述次表面和所述衬底通孔内沉积含有镍(Ni)的第一金属层；通过电镀在所述第一金属层上沉积第二金属层；在所述第二金属层上沉积第三金属层，该第三金属层包含Ni和钛(Ti)中的至少一者；通过部分地去除所述第三金属层，从而暴露除了所述衬底通孔和所述衬底通孔的周边之外的部分中的所述第二金属层；和通过在所述衬底的所述次表面和组装衬底之间插入焊料，从而将所述半导体器件贴片在所述组装衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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