[发明专利]半导体装置及其制造方法、电力变换装置有效
| 申请号： | 201910117868.2 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN110176487B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 香川泰宏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 得到在接通状态下抑制JFET电阻，在断开状态下保护栅极沟槽底部的栅极绝缘膜的半导体装置。具备：第1导电型的第1半导体层；其上层部的第2导电型的第1半导体区域；其上层部的第1导电型的第2半导体区域；栅极沟槽，将第1、2半导体区域沿厚度方向贯通，底面到达第1半导体层内；栅极绝缘膜，覆盖栅极沟槽内壁面；栅极电极，埋入至栅极沟槽内；第2导电型的第2半导体层，在比栅极沟槽底面深的位置沿第1半导体层的厚度方向延伸；第2导电型的第3半导体层，与栅极沟槽的1个侧面以及第1半导体区域底面接触，延伸至比栅极沟槽底面深的位置；以及第1导电型的第4半导体层，在比栅极沟槽底面深的位置夹设在第2与第3半导体层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 电力 变换 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具备：第1导电型的第1半导体层；第2导电型的第1半导体区域，其设置于所述第1半导体层的上层部；第1导电型的第2半导体区域，其设置于所述第1半导体区域的上层部；栅极沟槽，其以将所述第1以及第2半导体区域沿厚度方向贯通的方式设置，其底面到达所述第1半导体层内；栅极绝缘膜，其覆盖所述栅极沟槽的内壁面；栅极电极，其埋入至所述栅极沟槽内；第2导电型的第2半导体层，其在比所述栅极沟槽的底面深的位置，沿所述第1半导体层的厚度方向延伸；第2导电型的第3半导体层，其与所述栅极沟槽的1个侧面以及所述第1半导体区域的底面接触，延伸至比所述栅极沟槽的底面深的位置；以及第1导电型的第4半导体层，其在比所述栅极沟槽的底面深的位置，夹设在所述第2半导体层与所述第3半导体层之间。
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