[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910117966.6 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN109950372B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片的多量子阱层包括交替生长的多个量子阱层和多个量子垒层，每个量子阱层均包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层、第二子层和第三子层均为In |
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| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，所述多量子阱层包括交替生长的多个量子阱层和多个量子垒层，其特征在于，每个所述量子阱层均包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层均为InxGa1‑xN层，0＜x＜1，所述第一子层和所述第三子层中的In组分是所述第二子层中的In组分的25％～35％。
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