[发明专利]一种具有中空褶皱结构的电极的制备方法有效
| 申请号： | 201910119033.0 | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN109830698B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 卢向阳;田云;邓奇 | 申请（专利权）人： | 湖南农业大学 |
| 主分类号： | H01M4/88 | 分类号： | H01M4/88;H01M4/96;H01M8/18;C12N1/14;C12R1/685;C12R1/68 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410128*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有中空褶皱结构的电极的制备方法，所述方法是将真菌接种到碳素电极的内表面及外表面培养，再利用高温退火的方法得到具有中空褶皱结构的电极。该法利用真菌修饰碳素电极材料的方法，大大提高了电极电催化活性，提升了电池能量效率。丰富的异碳元素为钒离子提供反应位点，大面积褶皱结构的存在为反应物种提供大量有效的反应面积，极大提高了电极的反应活性，表现出优异的能量效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 中空 褶皱 结构 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有中空褶皱结构的电极的制备方法，其特征在于，所述方法是将真菌接种到碳素电极的内表面及外表面培养，再利用高温退火的方法得到具有中空褶皱结构的电极。
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