[发明专利]静电保护结构和半导体器件

摘要

本发明涉及一种静电保护结构及包含该静电保护结构的半导体器件，其中，静电保护结构包括：第一阱区，具有N型导电类型；第一掺杂区和第二掺杂区，分别形成于第一阱区内且间隔设置，具有P型导电类型；电阻结构与、第一电连接结构和第二电连接结构，电阻结构通过第一电连接结构连接于第一掺杂区与第一阱区之间，且从连接于第一掺杂区与电阻结构之间的第一电连接结构引出静电保护结构的第一连接端，第二电连接结构与第二掺杂区连接，且从第二电连接结构引出静电保护结构的第二连接端。通过设置电阻结构来改变发射极与基极之间的电阻，从而调节所需触发电压的大小，相比于通过改变掺杂浓度来改变发射极与基极之间的电阻，工艺更加简单。