[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910119085.8 | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN110556361A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 全辉璨;洪瑟气;金贤洙;李相炫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/088 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：多个有源图案和多个栅极结构，位于基底上；第一绝缘中间层，覆盖有源图案和栅极结构；多个第一接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；多个第二接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；以及第一连接图案，与从第一接触插塞和第二接触插塞中选择的至少一个接触插塞的侧壁直接接触。每个栅极结构可以包括栅极绝缘层、栅电极和覆盖图案。每个第一接触插塞可以与和栅极结构相邻的有源图案接触。每个第二接触插塞可以与栅极结构中的栅电极接触。第一连接图案的上表面可以与第一接触插塞的上表面和第二接触插塞的上表面基本共面。 | ||
| 搜索关键词： | 接触插塞 栅极结构 绝缘中间层 上表面 源图案 半导体装置 连接图案 延伸穿过 栅电极接触 栅极绝缘层 栅电极 侧壁 覆盖 基底 图案 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：/n多个有源图案，位于基底上；/n多个栅极结构，位于基底上，每个栅极结构包括栅极绝缘层、栅电极和覆盖图案；/n第一绝缘中间层，覆盖有源图案和栅极结构的至少一部分；/n多个第一接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层，所述多个第一接触插塞中的每个第一接触插塞与和所述多个栅极结构中的一个栅极结构相邻的有源图案接触；/n多个第二接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层，所述多个第二接触插塞中的每个第二接触插塞与所述多个栅极结构中的一个栅极结构的栅电极接触；以及/n第一连接图案，与从所述多个第一接触插塞和所述多个第二接触插塞中选择的至少一个接触插塞的侧壁直接接触，其中，第一连接图案的上表面与所述多个第一接触插塞的上表面和所述多个第二接触插塞的上表面共面。/n
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