[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910119597.4 | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN110581129A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 全庸淏;朴钟撤;明成禹;金廷炫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括：多个有源区域，在基板上在第一方向上延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，在第一方向上彼此间隔开并在基板上在交叉所述多个有源区域的第二方向上延伸；层间绝缘层，覆盖在第一栅极结构和第二栅极结构周围；以及栅极间切割层，在第一方向上穿过第一栅极结构和第二栅极结构以及层间绝缘层，该栅极间切割层包括绝缘材料，其中第一栅极结构和第二栅极结构由栅极间切割层切割，其中在切割第一栅极结构和第二栅极结构的区域处的栅极间切割层的底表面的水平面低于层间绝缘层中的栅极间切割层的底表面的水平面。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极结构 切割层 层间绝缘层 半导体器件 源区域 基板 切割 绝缘材料 延伸 穿过 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n多个有源区域，在基板上在第一方向上延伸；/n第一栅极结构和第二栅极结构，在所述第一方向上彼此间隔开并在所述基板上在交叉所述多个有源区域的第二方向上延伸；/n层间绝缘层，在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构周围；以及/n栅极间切割层，在所述第一方向上穿过所述第一栅极结构和所述第二栅极结构以及所述层间绝缘层，所述栅极间切割层包括绝缘材料，/n其中所述第一栅极结构和所述第二栅极结构由所述栅极间切割层切割，/n其中在切割所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的区域处的所述栅极间切割层的底表面的水平面低于所述层间绝缘层中的所述栅极间切割层的底表面的水平面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
