[发明专利]用于形成精细图案的方法在审
申请号: | 201910119654.9 | 申请日: | 2019-02-18 |
公开(公告)号: | CN110189987A | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 裵根熙;朴钟撤;金俊胜;朴胜周;朴荣周;李学善 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种用于形成精细图案的方法,该方法包括:在半导体衬底上形成线图案和连接图案,该线图案沿第一方向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开,该连接图案连接在第二方向上彼此相邻的线图案的部分;以及对连接图案执行离子束蚀刻工艺。该离子束蚀刻工艺在平行于由第一方向和垂直于半导体衬底的顶表面的第三方向限定的平面的入射方向上提供离子束,并且该离子束的入射方向不垂直于半导体衬底的顶表面。 | ||
搜索关键词: | 离子束 连接图案 线图案 衬底 半导体 精细图案 入射方向 蚀刻工艺 顶表面 方向交叉 方向限定 方向延伸 不垂直 平面的 平行 垂直 | ||
【主权项】:
1.一种用于形成精细图案的方法,该方法包括:在半导体衬底上形成多个线图案和连接图案,所述多个线图案沿第一方向延伸并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开,所述连接图案连接在所述第二方向上彼此相邻的所述多个线图案的部分;以及对所述连接图案执行离子束蚀刻工艺,其中所述离子束蚀刻工艺在平行于由所述第一方向和垂直于所述半导体衬底的顶表面的第三方向限定的平面的入射方向上提供离子束,并且所述离子束的所述入射方向不垂直于所述半导体衬底的所述顶表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910119654.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置结构的形成方法
- 下一篇:用于薄膜沉积设备的内部材料及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造