[发明专利]用于形成精细图案的方法在审

专利信息
申请号: 201910119654.9 申请日: 2019-02-18
公开(公告)号: CN110189987A 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 裵根熙;朴钟撤;金俊胜;朴胜周;朴荣周;李学善 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 弋桂芬
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供一种用于形成精细图案的方法,该方法包括:在半导体衬底上形成线图案和连接图案,该线图案沿第一方向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开,该连接图案连接在第二方向上彼此相邻的线图案的部分;以及对连接图案执行离子束蚀刻工艺。该离子束蚀刻工艺在平行于由第一方向和垂直于半导体衬底的顶表面的第三方向限定的平面的入射方向上提供离子束,并且该离子束的入射方向不垂直于半导体衬底的顶表面。
搜索关键词: 离子束 连接图案 线图案 衬底 半导体 精细图案 入射方向 蚀刻工艺 顶表面 方向交叉 方向限定 方向延伸 不垂直 平面的 平行 垂直
【主权项】:
1.一种用于形成精细图案的方法,该方法包括:在半导体衬底上形成多个线图案和连接图案,所述多个线图案沿第一方向延伸并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开,所述连接图案连接在所述第二方向上彼此相邻的所述多个线图案的部分;以及对所述连接图案执行离子束蚀刻工艺,其中所述离子束蚀刻工艺在平行于由所述第一方向和垂直于所述半导体衬底的顶表面的第三方向限定的平面的入射方向上提供离子束,并且所述离子束的所述入射方向不垂直于所述半导体衬底的所述顶表面。
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