[发明专利]一种在C/SiC复合材料表面制备薄膜热电偶的方法有效
| 申请号： | 201910119728.9 | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN109778131B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 崔云先;薛生俊;杨琮;高富来;王艺歌;黄金鹏 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C25D15/00;C25D3/12;C25D5/54;C25D5/52;C25D5/18;C25D5/20;C23C14/10;C23C14/04;C23C28/00;G01K7/04 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 唐楠;李洪福 |
| 地址： | 116028 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种在C/SiC复合材料表面制备薄膜热电偶的方法，具有如下步骤：S1、C/SiC复合材料表面处理；S2、在C/SiC复合材料上制备导电层；S3、电镀沉积Ni‑ZrO |
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| 搜索关键词： | 一种 sic 复合材料 表面 制备 薄膜 热电偶 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在C/SiC复合材料表面制备薄膜热电偶的方法，其特征在于具有如下步骤：S1、C/SiC复合材料表面处理：先后在丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗，清洗后在无尘室内干燥处理；S2、在C/SiC复合材料上制备导电层：采用磁控溅射的方法在经过上一步骤处理后的C/SiC复合材料表面制备NiCr导电层；S3、电镀沉积Ni‑ZrO2复合层：将经过上一步骤处理后的C/SiC复合材料置于电镀槽内，开启超声发生器、水浴加热装置和电镀液搅拌器，电镀沉积2小时；S4、机械打磨电镀层：用800目砂纸对经过上一步骤处理后的C/SiC复合材料表面进行机械打磨，若打磨后的电镀表面仍存在凹陷或其他缺陷，则执行步骤S3，若打磨后的电镀表面缺陷被完全填补，则执行步骤S5；S5、抛光Ni‑Cr‑ZrO2复合过渡层：将上一步骤处理后的具有连续平整Ni‑Cr‑ZrO2复合过渡层的C/SiC复合材料基底依次经过800目、1000目和2000目砂纸机械打磨，之后依次用5.0、3.5和2.5粒度的钻石抛光膏抛光至镜面；S6、制备有复合过渡层的C/SiC复合材料表面处理：先后在丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗，清洗后进行干燥处理；S7、制备SiO2绝缘膜、薄膜热电偶功能薄膜和SiO2保护膜：采用直流脉冲磁控溅射的方式在经过上一步骤处理后的C/SiC复合材料表面依次溅射制备SiO2绝缘膜、NiCr热电极薄膜、NiSi热电极薄膜和SiO2保护膜。
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