[发明专利]氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 201910120462.X | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN109950368A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 丁杰;秦双娇;胡任浩;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，多量子阱层包括交替生长的InGaN量子阱层和复合量子垒层，复合量子垒层包括依次层叠的第一量子垒层、第二量子垒层和第三量子垒层，第一量子垒层和第三量子垒层均为AlInGaN层，第二量子垒层为AlGaN层，第二量子垒层中的Al组分沿外延片的层叠方向先逐渐增大再逐渐减小。本发明提供的发光二极管外延片可以抑制大电流注入下LED的光效下降，提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子垒层 外延片 氮化镓基发光二极管 多量子阱层 衬底 半导体技术领域 发光二极管外延 电子阻挡层 复合 层叠方向 发光效率 交替生长 量子阱层 依次层叠 逐渐减小 逐渐增大 大电流 缓冲层 未掺杂 光效 制造 生长 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，其特征在于，所述多量子阱层包括交替生长的InGaN量子阱层和复合量子垒层，所述复合量子垒层包括依次层叠的第一量子垒层、第二量子垒层和第三量子垒层，所述第一量子垒层和所述第三量子垒层均为AlInGaN层，所述第二量子垒层为AlGaN层，所述第二量子垒层中的Al组分沿外延片的层叠方向先逐渐增大再逐渐减小。
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