[发明专利]一种3D封装多点焊接的方法及装置、设备及存储介质有效
| 申请号： | 201910120689.4 | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN109887850B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李涌伟;王先彬;汪飞艳 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李梅香;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种3D封装多点焊接的方法及装置、设备及存储介质。该方法包括，确定3D封装中需要相互连接的M条接线；将所述M条接线焊接在相互连通的同一组合焊盘上，形成N个焊接点；其中，M和N为大于等于2的正整数，N小于等于M。本申请实施例所公开的3D封装中将焊接在一起的多条接线进行分组，分别焊接在不同的焊接点上，从而有效提升了焊接的可靠性，防止虚焊脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 多点 焊接 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种3D封装多点焊接的方法，其特征在于，所述方法包括：确定3D封装中需要相互连接的M条接线；将所述M条接线焊接在相互连通的同一组合焊盘上，形成N个焊接点；其中，M和N为大于等于2的正整数，N小于等于M。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910120689.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种散热片贴装芯片的方法及系统
- 下一篇：一种采用铝金属制作再分布层的制程
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
