[发明专利]一种集成电路性能的优化方法有效
| 申请号： | 201910121601.0 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN109829240B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 吴玉平;陈岚;张学连 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种集成电路结构性能的优化方法，所述优化方法包括：提供一集成电路结构，所述集成电路结构设置有至少一个晶体管；获取所述集成电路结构的性能；依据所述集成电路结构的性能确定所述晶体管的性能；依据所述晶体管的性能确定覆盖至所述晶体管的栅极结构上的应力绝缘膜；其中，所述应力绝缘膜用于改变所述晶体管的性能。该优化方法满足了SoC设计中电路不同部分对晶体管性能需求的精确匹配，从而在确保电路性能得到满足的情况下，尽可能降低SoC的功耗，特别是亚阈值极低功耗SoC的功耗，进而提高SoC的工作能效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 性能 优化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路性能的优化方法，其特征在于，所述优化方法包括：提供一集成电路，所述集成电路设置有至少一个晶体管；获取所述集成电路的性能要求；依据所述集成电路的性能要求确定所述晶体管的性能；依据所述晶体管的性能确定覆盖至所述晶体管的栅极结构上的应力绝缘膜；其中，所述应力绝缘膜用于改变所述晶体管的性能。
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