[发明专利]一种五氧化二钒正极材料及其制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 201910122408.9 申请日: 2019-02-19
公开(公告)号: CN109830666A 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: 袁号;李素丽;赵伟;唐伟超;李俊义;徐延铭 申请(专利权)人: 珠海光宇电池有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y40/00
代理公司: 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 代理人: 高媛
地址: 519180 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种五氧化二钒正极材料及制备方法及应用,属于锂电池技术领域,具体技术方案如下:一种五氧化二钒正极材料,为三维纳米花结构,纳米花的片层厚度为10~100 nm,三维纳米花上分布有多个孔,孔的孔径大小为1~50μm。所述五氧化二钒正极材料的制备方法如下:步骤一、在惰性导电基底上水热生长三维纳米花结构的二硫化钒;步骤二、将生长三维纳米花结构的二硫化钒的导电基底放入含氧气氛中退火得到具有三维纳米花结构的五氧化二钒正极材料。本发明制备的五氧化二钒正极材料,弥补了五氧化二钒作为正极材料循环过程中结构不稳定,容易坍塌的缺点,增大了材料的电导率以及比表面积,有利于锂离子的嵌入脱出。
搜索关键词: 五氧化二钒 正极材料 纳米花 三维 制备 导电基 硫化 电导率 退火 含氧气氛 循环过程 热生长 中结构 锂电池 锂离子 放入 片层 脱出 嵌入 坍塌 应用 生长
【主权项】:
1.一种五氧化二钒正极材料,其特征在于:所述五氧化二钒正极材料为三维纳米花结构。
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