[发明专利]带有Low-k膜的晶片的分割方法

摘要

本发明提供一种能够在防止形成于晶片表面的Low‑k膜的剥离的同时可靠地对晶片进行分割的方法。沿着预先划定的切割迹道对带有Low‑k膜的晶片进行分割的方法具有：工序a，通过激光束的照射，在硅基板的内部沿着切割迹道形成变质区域；工序b，对经过工序a的带有Low‑k膜的晶片的硅基板进行研磨，使变质区域作为刻划线而露出；工序c，通过从Low‑k膜的一侧沿着刻划线使切断板抵接于经过工序b的带有Low‑k膜的晶片，从而对带有Low‑k膜的晶片进行切断；以及工序d，通过对经过工序c的带有Low‑k膜的晶片进行扩展处理，从而使带有Low‑k膜的晶片的被切割迹道区划的部分相互分离。

主权项

1.一种带有Low‑k膜的晶片的分割方法，其特征在于，沿着预先划定的切割迹道，对在硅基板的一个主表面上层叠形成有Low‑k膜的带有Low‑k膜的晶片进行分割，所述带有Low‑k膜的晶片的分割方法具有：a)变质区域形成工序，通过激光束的照射，在所述硅基板的内部沿着所述切割迹道形成变质区域；b)背磨工序，对经过所述变质区域形成工序的所述带有Low‑k膜的晶片的所述硅基板进行研磨，使所述变质区域作为刻划线而露出；c)切断工序，通过从所述Low‑k膜的一侧沿着所述刻划线使切断板抵接于经过所述背磨工序的所述带有Low‑k膜的晶片，从而对所述带有Low‑k膜的晶片进行切断；以及d)扩展工序，通过对经过所述切断工序的所述带有Low‑k膜的晶片进行扩展处理，从而使所述带有Low‑k膜的晶片的被所述切割迹道区划的部分相互分离。