[发明专利]制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201910123967.1 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN110277492A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 朴昌叶;朴正熙;郑载琥 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/10;H01L43/08;H01L27/22;C23C14/06;C23C14/34;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘润蓓;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种制造半导体装置的方法。所述方法可以包括在基底上形成成型层，成型层具有暴露基底的一部分的孔；在孔中形成具有空隙的相变层；对相变层进行热处理以从相变层去除空隙。相变层的热处理步骤可以包括将基底加热至第一温度以在相变层中形成扩散层，第一温度可以比相变层的熔点的55％低或等于相变层的熔点的55％。 | ||
| 搜索关键词： | 熔点 半导体装置 成型层 基底 热处理步骤 热处理 基底加热 扩散层 去除 制造 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底上形成成型层，成型层具有暴露基底的一部分的孔；在孔中形成相变层，相变层具有空隙和垂悬部中的至少一个；对相变层进行热处理以从相变层去除空隙和垂悬部中的至少一个，其中，对相变层进行热处理的步骤包括将基底加热至第一温度以在相变层中形成扩散层，其中，第一温度比相变层的熔点的55％低或等于相变层的熔点的55％。
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