[发明专利]一种电阻法碳化硅晶体生长用坩埚

摘要

一种电阻法碳化硅晶体生长用坩埚，包括顶盖、上籽晶片架、上压片、上籽晶压环、上籽晶片、晶锭、下籽晶压环、下籽晶片架、下压片、坩埚底筒和下籽晶片，所述坩埚底筒内侧底部安置有下籽晶片架，且下籽晶片架正中心处放置有下籽晶片，所述下籽晶片上方放置有下压片，所述下籽晶压环上放置有横截面与坩埚底筒内部横截面完全相同的晶锭，所述晶锭上方压有上籽晶压环，且上籽晶压环上方放置有上压片，所述上压片上方放置有上籽晶片，且上籽晶片上方放置有上籽晶片架，所述上籽晶片架上方的坩埚底筒顶部放置有顶盖。该坩埚无需胶粘，也不需要螺丝等外设固定。

主权项

1.一种电阻法碳化硅晶体生长用坩埚，包括顶盖(1)、上籽晶片架(2)、上压片(3)、上籽晶压环(4)、上籽晶片(5)、晶锭(6)、下籽晶压环(7)、下籽晶片架(8)、下压片(9)、坩埚底筒(10)和下籽晶片(11)，其特征在于：所述坩埚底筒(10)内侧底部安置有下籽晶片架(8)，且下籽晶片架(8)正中心处放置有下籽晶片(11)，所述下籽晶片(11)上方放置有下压片(9)，且下压片(9)上压有下籽晶压环(7)，所述下籽晶压环(7)上放置有横截面与坩埚底筒内部横截面完全相同的晶锭(6)，所述晶锭(6)上方压有上籽晶压环(4)，且上籽晶压环(4)上方放置有上压片(3)，所述上压片(3)上方放置有上籽晶片(5)，且上籽晶片(5)上方放置有上籽晶片架(2)，所述上籽晶片架(2)上方的坩埚底筒(10)顶部放置有顶盖(1)，且所述顶盖(1)和所述上压片(3)将上籽晶片(5)压紧于顶盖中心处。