[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910124739.6 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN110581130A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 宋炫昇;金孝珍;朴敬美;全辉璨;河承锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晓博;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括第一杂质区、沟道图案、第二杂质区、栅极结构、第一接触图案、第二接触图案和间隔件。第一杂质区可形成在基底上。沟道图案可从基底的上表面突出。第二杂质区可形成在沟道图案上。栅极结构可形成在沟道图案的侧壁以及与沟道图案相邻的基底上，并且栅极结构可包括栅极绝缘图案和栅电极。第一接触图案可与第二杂质区的上表面接触。第二接触图案可与栅电极的表面接触。间隔件可形成在第一接触图案与第二接触图案之间。间隔件可围绕第二接触图案的侧壁的一部分，并且间隔件可与第一接触图案和第二接触图案中的每个接触图案的侧壁接触。 | ||
| 搜索关键词： | 接触图案 沟道图案 杂质区 间隔件 栅极结构 基底 半导体装置 上表面 栅电极 侧壁 栅极绝缘图案 侧壁接触 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：/n第一杂质区，位于基底上；/n沟道图案，从基底的上表面突出；/n第二杂质区，位于沟道图案上；/n栅极结构，位于沟道图案的侧壁以及与沟道图案相邻的基底上，栅极结构包括栅极绝缘图案和栅电极；/n第一接触图案，与第二杂质区的上表面接触；/n第二接触图案，与栅电极的表面接触；以及/n间隔件，位于第一接触图案与第二接触图案之间，/n其中，间隔件围绕第二接触图案的侧壁的至少一部分，并且间隔件与第一接触图案和第二接触图案中的每个接触图案的侧壁接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
