[发明专利]紫外发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910124859.6 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN110047979B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述紫外发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，所述多量子阱层由多个周期的超晶格结构组成，每个超晶格结构均包括依次层叠的GaN阱层和BAlN垒层。与现有的GaN/AlGaN异质结相比，GaN/BAlN异质结的价带偏移更小，导带偏移更大，能够更好的将电子限制在GaN阱层内，并能提高空穴的迁移，且GaN/BAlN异质结界面具有高浓度的二维电子气，能够提高载流子的横向迁移能力，最终提升电子、空穴的辐射复合效率，从而提高紫外LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种紫外发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，其特征在于，所述多量子阱层由多个周期的超晶格结构组成，每个超晶格结构均包括依次层叠的GaN阱层和BAlN垒层。
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