[发明专利]电压测量方法及电压测量电路有效
| 申请号： | 201910124948.0 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN109856524B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 费俊驰;竺际隆;张军;庄健;潘吉快;黄裕伟 | 申请（专利权）人： | 无锡英迪芯微电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 胡蓉 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电压测量方法及电压测量电路，涉及半导体技术领域。该方法包括：根据所述NMOS管的栅极的电位，获取第一电压和第二电压，所述第一电压和所述第二电压为所述NMOS管的栅极的电位处于不同状态时，所述第一分压电阻和所述第二分压电阻之间的电位；根据所述第一电压、所述第二电压和至少两个所述分压电阻进行计算，得到所述发光二极管两端的当前电压。通过在不同连接状态所对应的不同电压测量电路中，分别获取第一电压和第二电压，并结合电压测量电路中各个分压电阻对应的参数值进行计算，得到发光二极管两端的当前电压，避免了在发光二极管工作时添加分压电阻进行检测的情况，提高了获取当前电压的准确性和灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 测量方法 测量 电路 | ||
【主权项】：
1.一种电压测量方法，其特征在于，应用于电压测量电路，所述电压测量电路包括发光二极管、N型场效应晶体NMOS管和至少两个分压电阻，所述至少两个分压电阻包括第一分压电阻和第二分压电阻，所述第一分压电阻和所述第二分压电阻串联连接；所述方法包括：根据所述NMOS管的栅极的电位，获取第一电压和第二电压，所述第一电压和所述第二电压为所述NMOS管的栅极的电位处于不同状态时，所述第一分压电阻和所述第二分压电阻之间的电位；根据所述第一电压、所述第二电压和至少两个所述分压电阻进行计算，得到所述发光二极管两端的当前电压。
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