[发明专利]一种基于光子晶体平板微腔的磁场传感器有效
申请号: | 201910124976.2 | 申请日: | 2019-02-20 |
公开(公告)号: | CN109884558B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 葛道晗;靳鹏飞;张立强;施建培;魏金秀;张远;杨宁 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | G01R33/032 | 分类号: | G01R33/032 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种基于光子晶体平板微腔的磁场传感器,包括光子晶体平板和磁敏薄膜;光子晶体平板上设有若干阵列布置的空气孔;光子晶体平板上设有点缺陷微腔,磁敏薄膜覆盖在微腔表面;光子晶体平板上设有光子晶体波导。本发明将磁敏薄膜覆盖于光子晶体平板微腔的表面上,随着外界磁场的变化,磁敏薄膜的折射率会发生不同程度的变化,由于倏逝波的耦合作用,从而使光子晶体平板波导输出光谱中的能量损耗发生变化,根据能量损耗的大小反推出外界磁场的变化量,具有安全防爆、抗电磁干扰、质量轻、响应速度快、测量范围大、可进行实时远距离检测等优异特性,又解决了传统光学磁场传感器测量测量微弱磁场灵敏度较低的问题,提高了弱磁场测量的精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 光子 晶体 平板 磁场 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种基于光子晶体平板微腔的磁场传感器,其特征在于,包括光子晶体平板和磁敏薄膜;所述光子晶体平板上设有若干阵列布置的空气孔(2);所述光子晶体平板上设有点缺陷微腔,所述磁敏薄膜(5)覆盖在微腔表面;所述光子晶体平板上设有光子晶体波导。
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