[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池及其优化后处理方法有效
| 申请号： | 201910125232.2 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN109817751B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;马立云;潘锦功;傅干华;邬小凤 | 申请（专利权）人： | 成都中建材光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人： | 李华;温黎娟 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池及其优化后处理方法，包括依次设置的FTO玻璃层、CdS层、CdTe层、活化层、铜金属层、钼层；所述活化层包括MgCl |
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| 搜索关键词： | 一种 碲化镉 薄膜 太阳能电池 及其 优化 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于：包括依次设置的FTO玻璃层、CdS层、CdTe层、活化层、铜金属层、钼层；所述活化层包括MgCl2和Ga2(SO4)3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
