[发明专利]相移掩模坯料、相移掩模的制造方法、及显示装置的制造方法在审
申请号: | 201910125512.3 | 申请日: | 2019-02-20 |
公开(公告)号: | CN110196530A | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 田边胜;浅川敬司 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 朴渊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种能够以可充分发挥相移效果的截面形状对相移膜进行构图的透过率高的相移掩模坯料。一种相移掩模坯料,其在透明基板上具有相移膜和在该相移膜上的蚀刻掩模膜,其特征在于,所述相移掩模坯料是以在所述蚀刻掩模膜形成有期望的图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模,通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模,所述相移膜含有过渡金属、硅、氧,氧的含有率为5原子%以上70原子%以下,从所述界面到10nm深度的区域为止的氧相对于硅的含有比率为3.0以下。 | ||
搜索关键词: | 相移掩模 相移 坯料 蚀刻掩模膜 透明基板 相移膜图案 图案 过渡金属 截面形状 湿式蚀刻 显示装置 透过率 掩模 制造 期望 | ||
【主权项】:
1.一种相移掩模坯料,其在透明基板上具有相移膜和在该相移膜上的蚀刻掩模膜,其特征在于,所述相移掩模坯料是用于形成相移掩模的原版,以在所述蚀刻掩模膜形成有期望的图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模,通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模,所述相移膜含有过渡金属、硅、氧,氧的含有率为5原子%以上70原子%以下,在所述相移膜和所述蚀刻掩模膜的界面形成组成倾斜区域,在该组成倾斜区域,包含所述氧的比例朝向深度方向阶段性地和/或连续性地增加的区域,在从所述相移膜和所述蚀刻掩模膜的界面到10nm深度的区域为止的氧相对于硅的含有比率为3.0以下。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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