[发明专利]用于摄像元件用光电转换元件的材料和包含该材料的光电转换元件在审
申请号: | 201910125769.9 | 申请日: | 2015-04-22 |
公开(公告)号: | CN110085742A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 药师寺秀典;新见一树;森田陵太郎;山本达也;井内俊文;滨田雅裕 | 申请(专利权)人: | 日本化药株式会社 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L27/146;C07D495/04 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王海川;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: |
本发明涉及用于摄像元件用光电转换元件的材料和包含该材料的光电转换元件。本发明提供一种用于摄像元件用光电转换元件的材料,其包含下述式(1)所示的化合物。使用了包含下述式(1)所示的化合物的用于摄像元件用光电转换元件的材料的光电转换元件在空穴或电子泄漏防止特性、对工艺温度的耐热性、可见光透明性等方面优异。式(1)中,R1和R2各自独立地表示取代或未取代的芳香族基团。 |
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搜索关键词: | 光电转换元件 式( 1 ) 摄像元件 耐热性 空穴 芳香族基团 电子泄漏 可见光 | ||
【主权项】:
1.一种摄像元件用光电转换元件,其具有第一电极膜A、第二电极膜B和配置在该第一电极膜和该第二电极膜之间的光电转换部C,其中,该光电转换部C至少包含光电转换层c‑1和除光电转换层以外的有机薄膜层c‑2而得到,且该除光电转换层以外的有机薄膜层c‑2包含用于摄像元件用光电转换元件的材料而得到,所述用于摄像元件用光电转换元件的材料包含下述式(1)所示的化合物,
式(1)中,R1和R2各自独立地表示取代或未取代的杂环基团。
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