[发明专利]用于量子位器件的具有顶部超导体层的封装衬底在审
| 申请号： | 201910125924.7 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN110176532A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | A.A.埃尔舍比尼;J.A.福尔肯;R.考迪洛;J.S.克拉克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L39/22 | 分类号： | H01L39/22;H01L27/18;H01L23/28;G06N10/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于量子位器件的具有顶部超导体层的封装衬底。一种示例性超导量子位器件封装，其包括：量子位管芯，该量子位管芯容纳超导量子位器件，该超导量子位器件包括至少一个谐振器；以及封装衬底，每个封装衬底具有第一面和相对的第二面。谐振器被布置在量子位管芯的第一面上。量子位管芯的第一面面向封装衬底的第二面并且通过第一级互连被附接到封装衬底的第二面。封装衬底的第二面包括面向谐振器的至少部分的超导体。这样的封装架构可以有利地允许降低设计复杂性和不期望的耦合，使得能够在封装的量子位管芯中包括更大数量的量子位器件，减少被用在封装衬底中的材料对谐振器性能的潜在负面影响，并且限制量子位退相干的一些源。 | ||
| 搜索关键词： | 量子位 管芯 第二面 超导量子位 谐振器 超导体层 封装 超导体 谐振器性能 负面影响 器件封装 耦合 第一级 互连 相干 架构 容纳 期望 | ||
【主权项】：
1.一种超导量子位器件封装，包括：具有第一面和相对的第二面的量子位管芯，其中量子位管芯包括超导量子位器件，所述超导量子位器件包括在量子位管芯的第一面处的至少一个谐振器；具有第一面和相对的第二面的封装衬底；以及第一级互连，其将在量子位管芯的第一面处的导电触点与在封装衬底的第二面处的相关联的导电触点耦合，其中封装衬底的第二面包括面向至少一个谐振器的至少一部分的超导体。
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