[发明专利]制造半导体元件的方法和离子注入装置在审
| 申请号： | 201910126344.X | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN110189990A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 鲛岛俊之;永尾友一 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京农工大学;日新离子机器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 周善来;李雪春 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供制造半导体元件的方法和离子注入装置，为了通过利用所希望的退火温度进行退火处理而能够将方块电阻降低到要求的水平，将离子注入到半导体基体W中的制造半导体元件的方法包括：第一离子注入工序，将氢离子或者稀有气体离子注入到半导体基体W中；以及第二离子注入工序，将掺杂离子注入到半导体基体W中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基体 半导体元件 离子注入工序 离子注入装置 氢离子 制造 退火 稀有气体离子 掺杂离子 方块电阻 退火处理 离子 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体元件的方法，其通过将离子注入到半导体基体中来制造半导体元件，所述制造半导体元件的方法的特征在于，所述制造半导体元件的方法包括：第一离子注入工序，将氢离子或者稀有气体离子注入到所述半导体基体中；以及第二离子注入工序，将掺杂离子注入到所述半导体基体中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
