[发明专利]双极晶体管设备和对应的制造方法在审
| 申请号： | 201910127913.2 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN110176495A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | A·高蒂尔;J·博雷尔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L29/06;H01L29/10;H01L27/082;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及双极晶体管设备和对应的制造方法。双极结型晶体管包括被掩埋在半导体衬底中在本征集电极区域下方的非本征集电极区域。设置含碳钝化区域来划定所述本征集电极区域。本征集电极区域上的绝缘层包括设置有非本征基极区域的开口。半导体层覆盖绝缘层，与非本征基极区域接触，并且包括带有隔离侧壁的开口。晶体管的集电极区域被设置在隔离侧壁之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电极区域 双极晶体管 隔离侧壁 绝缘层 开口 非本征基极区域 双极结型晶体管 覆盖绝缘层 集电极区域 半导体层 本征基极 钝化区域 区域接触 晶体管 衬底 与非 半导体 制造 掩埋 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造双极结型晶体管的方法，包括以下步骤：在半导体衬底中，在本征集电极区域下方形成掩埋的非本征集电极区域；在所述本征集电极区域上形成绝缘区域；在所述绝缘区域上形成非本征基极区域；以及在所述非本征集电极区域的形成与所述绝缘区域的形成之间，在所述本征集电极区域中、并且面向所述非本征基极区域形成含碳钝化区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体（克洛尔2）公司，未经意法半导体（克洛尔2）公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910127913.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
