[发明专利]蚀刻SiGe前的预处理组合物和制造半导体器件的方法

摘要

提供了蚀刻SiGe前使用的预处理组合物，该组合物包括：酸；醇；具有化学式R‑Si(R¹)_n(OR²)_3‑n的硅烷化合物，其中，R是(C3‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C3‑C20)烷基或(C3‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，R¹是氢、羟基、卤素、(C1‑C20)烷基、卤代(C1‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C1‑C20)烷基或(C1‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，R²是氢、(C1‑C20)烷基、卤代(C1‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C1‑C20)烷基或(C1‑C20)烷基(C6‑C12)芳基。

主权项

1.一种在蚀刻硅锗之前使用的预处理组合物，所述预处理组合物包括：酸；醇；以及下面式1的硅烷化合物：<式1>R‑Si(R¹)_n(OR²)_3‑n其中，在式1中，R是(C3‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C3‑C20)烷基或(C3‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，R¹是氢、羟基、卤素、(C1‑C20)烷基、卤代(C1‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C1‑C20)烷基或(C1‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，R²是氢、(C1‑C20)烷基、卤代(C1‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C1‑C20)烷基或(C1‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，n是0至2的整数，并且R中的烷基、芳基、芳基烷基或烷基芳基以及R¹中的烷基、卤代烷基、芳基、芳基烷基或烷基芳基可选择地进一步取代有选自于卤素、羟基、‑N(R¹¹)(R¹²)和‑S(R¹³)中的一个或更多个取代基，其中，R¹¹、R¹²和R¹³中的每个独立地为氢或(C1‑C20)烷基。