[发明专利]一种应用于大输入电容的高带宽高增益跨阻放大器有效
申请号: | 201910128387.1 | 申请日: | 2019-02-21 |
公开(公告)号: | CN109861652B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 甄少伟;章玉飞;周万礼;曾鹏灏;胡怀志;罗萍;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03F1/48 | 分类号: | H03F1/48;H03F3/68 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种应用于大输入电容的高带宽高增益跨阻放大器,属于激光三维成像中的模拟信号处理领域。本发明能够适应大输入电容的应用条件,尤其能够应用于大光敏面雪崩二极管阵列读出电路中,跨阻放大器包括慢通路和快通路,慢通路包含两级放大器,第一级放大器为第二NMOS管和第一NMOS管组成共源共栅结构,第二级放大器为第六NMOS管MN6组成共栅放大器,慢通路提供了系统的主要增益;第八NMOS管为共源放大器,形成一个快通道,为系统提供前馈通路,改善系统的稳定性;快通路和慢通路并联在系统中产生左半平面零点,代替传统跨阻放大器中的补偿电容,降低了系统的Q值,实现了跨阻放大器的稳定,解决了传统跨阻放大器的带宽和增益受到雪崩二极管输入电容限制的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 应用于 输入 电容 带宽 增益 放大器 | ||
【主权项】:
1.一种应用于大输入电容的高带宽高增益跨阻放大器,其特征在于,包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第一电流源、第二电流源、第三电流源、第四电流源和偏置电压源;第二NMOS管的栅极连接第八NMOS管的栅极并作为所述跨阻放大器的输入端,其漏极连接第一NMOS管的源极和第二PMOS管的漏极,其源极连接第三NMOS管、第五NMOS管和第八NMOS管的源极并接地;第一NMOS管的栅极一方面通过第一电容后接地,另一方面通过第一电阻后连接第七NMOS管的栅极、第六NMOS管和第六PMOS管的漏极,其漏极连接第四NMOS管的栅极和第四PMOS管的漏极;第五NMOS管的栅极连接第三NMOS管的栅极和漏极以及第三电流源,其漏极连接第四NMOS管和第六NMOS管的源极;第六NMOS管的栅极连接偏置电压源;第七NMOS管的源极连接第八NMOS管的漏极并作为所述跨阻放大器的输出端,其漏极连接第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管的源极并连接电源电压;第一PMOS管的栅漏短接并连接第二PMOS管的栅极和第一电流源;第三PMOS管的栅漏短接并连接第四PMOS管的栅极和第二电流源;第五PMOS管的栅漏短接并连接第六PMOS管的栅极和第四电流源;第二电阻接在所述跨阻放大器的输入端和输出端之间。
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