[发明专利]检查极紫外掩模的设备和方法及制造极紫外掩模的方法在审

专利信息
申请号: 201910129017.X 申请日: 2019-02-21
公开(公告)号: CN110658690A 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: 田炳焕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F1/84
代理公司: 11330 北京市立方律师事务所 代理人: 李娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了在高光效率下高速检查极紫外(EUV)掩模的方法和设备,以及一种制造EUV掩模的方法,其中,在制造EUV掩模的方法中包括检查EUV掩模的方法。用于检查EUV掩模的设备包括:光源,被配置为产生并输出光;线形波带板,被配置为将来自光源的光转换成第一线形光;狭缝板,被配置为通过从第一线形光中去除高级次衍射光分量来输出第二线形光;工作台,用于在其上定位EUV掩模;以及探测器,被配置为响应于第二线形光被照射到定位在工作台上的EUV掩模上并从EUV掩模反射来检测从EUV掩模反射的光。
搜索关键词: 线形光 配置 反射 光源 方法和设备 衍射光分量 高速检查 光转换 输出光 狭缝板 线形波 工作台 探测器 带板 高光 去除 掩模 制造 照射 检查 输出 响应 检测
【主权项】:
1.一种用于检查极紫外掩模的设备,所述设备包括:/n光源,被配置为产生并输出光;/n线形波带板,被配置为将来自所述光源的光转换成第一线形光;/n狭缝板,被配置为通过从所述第一线形光中去除高级次衍射光分量来输出第二线形光;/n工作台,用于在其上定位所述极紫外掩模;以及/n探测器,被配置为响应于所述第二线形光被照射到定位在所述工作台上的所述极紫外掩模上并从所述极紫外掩模反射,来检测从所述极紫外掩模反射的光。/n
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