[发明专利]基于过渡金属碳化物的忆阻器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910129396.2 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN109962162A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 童祎;高斐;渠开放;沈心怡;郭宇锋;万相;连晓娟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 张霞 |
| 地址： | 210003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于过渡金属碳化物的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，且阻变层、底电极与衬底的形状、尺寸一一匹配；阻变层包括介质层和敷设在该介质层上方的过渡金属碳化物膜，顶电极通过掩膜板的开孔溅射在过渡金属碳化物膜的顶部，底电极的顶部、底部分别与介质层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，可有效模拟突触权重的变化，实现模拟突触可塑性的功能，具有广阔的应用前景；此外，本发明的制备方法简便、高效，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡金属碳化物 底电极 介质层 阻变层 制备 顶电极 衬底 突触 导电性 从上至下 依次排列 可塑性 掩膜板 触接 溅射 开孔 权重 匹配 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于过渡金属碳化物的忆阻器件，设置在衬底上，其特征在于：所述忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，且所述阻变层、底电极与所述衬底的形状、尺寸一一匹配；所述阻变层包括介质层和敷设在该介质层上方的过渡金属碳化物膜，所述顶电极通过掩膜板的开孔溅射在所述过渡金属碳化物膜的顶部，所述底电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相触接。
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