[发明专利]异质结构的制备方法

摘要

本发明提供一种异质结构的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底，具有离子注入面；自离子注入面进行离子注入，以形成缺陷层；提供第二衬底，具有键合面，将键合面与离子注入面进行键合，得到初始键合结构；基于局部加热的方式对初始键合结构进行加热处理，以沿缺陷层剥离部分第一衬底，以在第二衬底上形成一衬底薄膜，得到包括第二衬底及衬底薄膜的异质结构。本发明基于局部加热的方式实现最终异质结构的制备，局部加热退火工艺可以降低键合结构中的热应力，提高制备过程中异质键合结构的稳定性，从而降低异质键合结构在退火剥离过程中的整体热应力和翘曲，本发明制备的单晶功能薄膜可以用于制备高性能的声学、光学和电学器件及各类传感器件等。

主权项

1.一种异质结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供第一衬底，且所述第一衬底具有离子注入面；2)自所述离子注入面对所述第一衬底进行离子注入，以在所述第一衬底中形成缺陷层；3)提供第二衬底，且所述第二衬底具有键合面，并将所述键合面与所述离子注入面进行键合，以得到初始键合结构；以及4)基于局部加热的方式对所述初始键合结构进行加热处理，以沿所述缺陷层剥离部分所述第一衬底，使得所述第一衬底的一部分转移至所述第二衬底上，以在所述第二衬底上形成一衬底薄膜，得到包括所述第二衬底及所述衬底薄膜的异质结构。