[发明专利]发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910129615.7 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110010739B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 柯竣腾;郭得山;涂均祥;邱柏顺;钟健凯;叶慧君;蔡旻谚;柯淙凯;陈俊扬 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光元件及其制造方法。发光元件包含一第一半导体层；以及一透明导电氧化层，其包含一具有一第一金属材料的扩散区域及一不具有第一金属材料的非扩散区域，其中非扩散区域比扩散区域更靠近第一半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造发光元件的方法，包含：形成第一半导体层；形成第二半导体层；形成主动层于该第一半导体层及该第二半导体层之间，其中该主动层可发出一光线；形成透明导电氧化层于该第一半导体层上；形成金属层于该透明导电氧化层上，该金属层包含第一金属材料；以及热处理该透明导电氧化层及该金属层，使该金属层中的该第一金属材料扩散进入到该透明导电氧化层以形成一扩散区域。
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