[发明专利]碳化硅半导体器件和用于制造碳化硅半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201910129728.7 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN110176497B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | A.迈泽;R.鲁普 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姬亚东;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，其具有用碳化硅形成的半导体本体（100），所述半导体本体具有源区（110）、电流分布区（137）和体区（120）。所述体区（120）沿着水平的第一方向（191）布置在所述源区（110）和所述电流分布区（137）之间并且与所述电流分布区（137）构成第一pn结（pn1）并且与所述源区（110）构成第二pn结（pn2）。栅极结构（150）从半导体本体（100）的第一表面（101）延伸到所述体区（120）中。在所述体区（120）和半导体本体（100）的与第一表面（101）相对的第二表面（102）之间构造有电荷补偿结构（180）。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有：用碳化硅形成的半导体本体（100），所述半导体本体具有源区（110）、电流分布区（137）和体区（120），其中所述体区（120）沿着水平的第一方向（191）布置在所述源区（110）和所述电流分布区（137）之间并且与所述电流分布区（137）构成第一pn结（pn1）并且与所述源区（110）构成第二pn结（pn2）;栅极结构（150），其从半导体本体（100）的第一表面（101）延伸到所述体区（120）中;和在所述体区（120）和半导体本体（100）的与第一表面（101）相对的第二表面（102）之间的电荷补偿结构（180）。
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