[发明专利]一种表面等离子体吸收增强的铟锡氧化物薄膜的制备方法

摘要

一种表面等离子体吸收增强的铟锡氧化物薄膜的制备方法，能得到等离子体吸收增强的铟锡氧化物薄膜。具体是指将石英基片放置于镀膜夹具；在一定真空度及烘烤温度下进行沉积镀膜，在一定的真空条件下用离子束辐照轰击薄膜表面使其改性。一定真空度优于5×10^‑4 Pa；烘烤温度为100‑200℃。本发明制备的铟锡氧化物薄膜表现表面等离子体吸收增强，可通过控制离子束流大小及辐照时间控制其生长取向。该种铟锡氧化物薄膜，具有良好的附着性、均匀性和热稳定，最终得到的铟锡氧化物薄膜具有优异的性能，在光电子学和纳米光电子学方面有重要的应用前景。

主权项

1.一种表面等离子体吸收增强铟锡氧化物薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、膜料的选择：采用质量百分比例为90：10的氧化铟和氧化锡混合物作为膜料；步骤二、基片的准备：将基片清洗干净后，放置于真空蒸发设备中的镀膜夹具上；步骤三、铟锡氧化物薄膜的形成：在真空蒸发设备中，沉积膜料到基片上，得到铟锡氧化物薄膜；步骤四、表面等离子体吸收增强铟锡氧化物薄膜的形成：在真空蒸发设备中，采用等离子体束流的离子束辐照铟锡氧化物薄膜的表面，进行轰击得到表面等离子体吸收增强铟锡氧化物薄膜。