[发明专利]一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法

摘要

本发明公开了一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法，采用冷喷涂沉积技术，将Al和Y₂O₃‑ZrO₂的混合粉末高速沉积，冷喷涂使用压缩空气为工作气体，喷涂距离10～60mm，喷涂温度200～600℃，气体压力1.5～3MPa，粉末粒度1～50μm，在等离子体刻蚀腔表面形成均匀分布的金属陶瓷防护涂层。该涂层能减少或阻止腐蚀性气体对刻蚀腔体的腐蚀和等离子体对芯片的污染，提高等离子体刻蚀腔在生产芯片过程中的使用寿命。首先，将Al和Y₂O₃‑ZrO₂粉末按比例混和均匀后进行干燥；其次，使用冷喷涂沉积技术将该粉末喷涂到基体表面，通过控制工艺过程参数得到金属陶瓷复合涂层；该方法沉积效率高，可根据实际使用情况随意调节涂层的厚度，可以用来制备厚的IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层。

主权项

1.一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法，其特征在于，采用Al和Y₂O₃‑ZrO₂的混合粉末制备等离子刻蚀腔体表面防护涂层，利用高速气流将Al和Y₂O₃‑ZrO₂的混合粉末直接喷涂于等离子刻蚀腔体表面，喷涂参数为：使用压缩空气为工作气体，气体温度为200‑600℃，气体压力为1.5‑3.0MPa，喷涂距离为10‑60mm，使混合粉末沉积在等离子刻蚀腔的内表面上，形成均匀分布的防护涂层；其中，Al粉末和Y₂O₃‑ZrO₂粉末的重量比例为0.1‑1:1；其中Y₂O₃‑ZrO₂粉末中，Y₂O₃与ZrO₂粉末的重量比为3‑5：1。