[发明专利]制造具有含有多个沟槽的结构图案的半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910130971.0 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN110391174A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 林根元;李明根;白石千;朴庆晋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成基底层。在基底层上形成结构层。该结构层包括至少一个材料层。在基底层上形成结构图案。结构图案包括在第一方向上延伸的第一沟槽和在垂直于第一方向的第二方向上延伸并具有交叉部分的第二沟槽。第二沟槽连接到第一沟槽。该结构图案还包括基底图案，该基底图案具有在第二沟槽的交叉部分处从基底层的表面向下凹陷的凹陷部分。 | ||
| 搜索关键词： | 结构图案 基底层 半导体器件 基底图案 结构层 沟槽连接 向下凹陷 材料层 凹陷 延伸 衬底 制造 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成基底层；在所述基底层上形成结构层，所述结构层包括至少一个材料层；以及在所述基底层上形成结构图案，所述结构图案包括在第一方向上延伸的第一沟槽和在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸并具有交叉部分的第二沟槽，所述第二沟槽连接到所述第一沟槽，所述结构图案还包括基底图案，该基底图案具有在所述第二沟槽的所述交叉部分处从所述基底层的表面向下凹陷的凹陷部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910130971.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：绝缘体上覆硅基板的制造方法及半导体装置
- 下一篇：一种接触孔的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
