[发明专利]一种单晶硅的腐蚀溶液在审
| 申请号： | 201910131283.6 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN109880625A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 朱眉清 | 申请（专利权）人： | 卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/02 | 分类号： | C09K13/02 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 226600 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅的腐蚀溶液，所述将硅片放置于70‑90°C的腐蚀溶液中，所述腐蚀溶液是由氢氧化钠溶液、碳酸钠溶液、碳酸钾溶液、1，3,5‑环已烷三醇溶液组成，其配方按质量百分比为：20‑35%氢氧化钠溶液、25‑35%碳酸钠溶液、15‑45%碳酸钾溶液、5‑20%1，3,5‑环已烷三醇溶液。本发明揭示了一种单晶硅的腐蚀溶液，单晶硅的腐蚀液适用于腐蚀单晶硅或二氧化硅衬底上的单晶硅和多晶硅层，该腐蚀液的腐蚀速率快，可减少处理过程中的毒性。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 腐蚀溶液 氢氧化钠溶液 碳酸钾溶液 碳酸钠溶液 腐蚀液 环已烷 三醇 腐蚀 质量百分比 多晶硅层 二氧化硅 硅片放置 溶液组成 衬底 配方 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅的腐蚀溶液，其特征在于:所述将硅片放置于70‑90°C的腐蚀溶液中，所述腐蚀溶液是由氢氧化钠溶液、碳酸钠溶液、碳酸钾溶液、1，3,5‑环已烷三醇溶液组成，其配方按质量百分比为：20‑35%氢氧化钠溶液、25‑35%碳酸钠溶液、15‑45%碳酸钾溶液、5‑20%1，3,5‑环已烷三醇溶液。
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