[发明专利]一种叠状电容制作方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201910131306.3 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN109860147B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 黄文涛;王智勇;林伟铭;黄宏达 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种叠状电容制作方法及半导体器件，其中方法包括如下步骤：在底层金属层上制作第一介电层；在第一介电层进行开第一通孔；在第一通孔和第一介电层上制作中间具有间隔槽的中间层金属；在间隔槽和中间层金属上制作第二介电层；在第二介电层开设第二通孔，第二通孔置于第一通孔上方；在第二介电层和第二通孔内制作顶层金属，顶层金属与第一金属层在第一通孔处连接。上述技术方案可以获得高电容密度的叠状电容。节省芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种叠状电容制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在底层金属层上制作第一介电层；在第一介电层进行开第一通孔；在第一通孔和第一介电层上制作中间具有间隔槽的中间层金属；在间隔槽和中间层金属上制作第二介电层；在第二介电层开设第二通孔，第二通孔置于第一通孔上方；在第二介电层和第二通孔内制作顶层金属，顶层金属与第一金属层在第一通孔处连接。
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