[发明专利]一种SiC MOSFET开环主动驱动电路有效
申请号: | 201910131369.9 | 申请日: | 2019-02-22 |
公开(公告)号: | CN109842279B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 刘平;苏杭;姜燕;黄守道 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 北京旭路知识产权代理有限公司 11567 | 代理人: | 瞿卫军;莫舒颖 |
地址: | 410082 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明属于电路控制技术领域,尤其涉及一种SiC MOSFET开环主动驱动电路。该电路包括传统驱动电路,还包括辅助电路,所述辅助电路包括di/dt检测电路和分流电路;所述di/dt检测电路用于判断SiC MOSFET的开通和关断阶段,并将判断得到的信号传输至分流电路;所述分流电路通过di/dt检测电路的信号对SiC MOSFET的栅极电流进行分流。本发明提供一种SiC MOSFET开环主动驱动电路,该电路在传统SiC MOSFET驱动电路后加入了分流电路和di/dt检测电路,缩短了开关延时时间,降低了开关损耗,且主动驱动电路为开环操作,降低了系统的成本和复杂性。 | ||
搜索关键词: | 一种 sic mosfet 开环 主动 驱动 电路 | ||
【主权项】:
1.一种SiC MOSFET开环主动驱动电路,包括传统驱动电路、SiC MOSFET和外接电源,其特征在于,还包括辅助电路,所述辅助电路包括di/dt检测电路和分流电路,辅助电路电源由传统驱动电路提供;所述di/dt检测电路用于判断SiC MOSFET的开通和关断阶段,并将判断得到的信号传输至分流电路;所述分流电路通过di/dt检测电路的信号对SiC MOSFET的栅极电流进行分流。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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