[发明专利]神经光电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201910132172.7 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN109820481B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 裴为华;徐淮良;苏越;杨晓伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | A61B5/00 | 分类号： | A61B5/00;A61N1/05 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种神经光电极及其制备方法，属于神经光电极制备领域，其中，神经光电极包括：蓝宝石光阵列器件、金属丝电极以及紫外胶；所述金属丝电极通过所述紫外胶固定于所述蓝宝石光阵列器件的表面。本发明采用蓝宝石光阵列与金属丝电极相贴附的方式，将刺激通道以及记录通道在空间范围内隔离，有效的降低电刺激噪声；便于组装，金属丝电极的位置以及数量可以依据需求进行组装；光源采用光阵列的方式有利于对多个脑区进行刺激并记录，实现神经活动的高通量检测。 | ||
| 搜索关键词： | 神经 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种神经光电极，其特征在于，包括：蓝宝石光阵列器件、金属丝电极以及紫外胶；所述金属丝电极通过所述紫外胶固定于所述蓝宝石光阵列器件的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910132172.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
