[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法有效
| 申请号： | 201910135561.5 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN110219047B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 森勇介;今西正幸;吉村政志;村上航介;冈山芳央 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人大阪大学;松下控股株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B19/02;C30B19/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种表面平坦、高品质且大尺寸的III族氮化物结晶的制造方法，其包括：在基板上准备作为种晶的多个III族氮化物的种晶准备工序；以及，通过在包含氮气的气氛下使种晶的表面接触包含碱金属和选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素的熔液，从而使上述III族元素与上述氮在熔液中发生反应，使III族氮化物结晶生长的结晶生长工序，结晶生长工序包括：由多个种晶分别生长截面为三角形或梯形的多个第一III族氮化物结晶的第一结晶生长工序；使第二III族氮化物结晶在多个第一III族氮化物结晶的间隙中生长的第二结晶生长工序。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 结晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：在基板上准备作为多个种晶的多个III族氮化物的种晶准备工序；以及通过在包含氮气的气氛下，使所述种晶的表面接触包含碱金属和选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素的熔液，从而使所述III族元素与所述氮在所述熔液中发生反应，使III族氮化物结晶生长的结晶生长工序，所述结晶生长工序包括：由所述多个种晶分别生长截面为三角形或梯形的多个第一III族氮化物结晶的第一结晶生长工序；以及使第二III族氮化物结晶在所述多个第一III族氮化物结晶的间隙中生长的第二结晶生长工序。
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