[发明专利]发光二极管有效
申请号: | 201910136019.1 | 申请日: | 2017-04-18 |
公开(公告)号: | CN110061110B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 李锦珠;李剡劤;金京完;柳龙禑;张美萝 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/36;H01L33/38 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙昌浩;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种发光二极管,包括:基板;半导体层叠体,配置于基板上且包括下部半导体层、上部半导体层、活性层和分离槽,活性层夹设于下部半导体层与上部半导体层之间,并且分离槽通过上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出基板;第一电极板;上部延伸部,上部延伸部和第一电极板电连接到上部半导体层;第二电极板;下部延伸部,下部延伸部和第二电极板电连接到下部半导体层;连接部,横穿分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部,连接部的宽度大于上部延伸部和下部延伸部的宽度;第一电流阻挡层,配置于下部延伸部之下;第一绝缘层,夹设于连接部与隔离槽之间,第一绝缘层的宽度大于连接部的宽度,其中,第一电流阻挡层连接到第一绝缘层。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:基板;半导体层叠体,配置于所述基板上并且包括下部半导体层、上部半导体层、活性层和分离槽,其中,所述活性层夹设于所述下部半导体层与所述上部半导体层之间,并且所述分离槽通过所述上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出所述基板;第一电极板;上部延伸部,其中,所述上部延伸部和第一电极板电连接到所述上部半导体层;第二电极板;下部延伸部,其中,所述下部延伸部和第二电极板电连接到所述下部半导体层;连接部,横穿所述分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部,所述连接部的宽度大于所述上部延伸部和下部延伸部的宽度;第一电流阻挡层,配置于所述下部延伸部之下;第一绝缘层,夹设于所述连接部与所述隔离槽之间,其中,所述第一绝缘层的宽度大于所述连接部的宽度,其中,第一电流阻挡层连接到所述第一绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔伟傲世有限公司,未经首尔伟傲世有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910136019.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。