[发明专利]立体NAND存储器的锯齿型电荷储存结构在审
申请号: | 201910136762.7 | 申请日: | 2019-02-22 |
公开(公告)号: | CN111435665A | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 赖二琨;龙翔澜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11582;H01L29/792 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种存储器元件,包括通过位于基材上被绝缘层隔离的多个导电条带所组成的导电条带堆叠结构,以及设置在穿过导电条带堆叠结构到基材的开孔中的垂直通道结构。垂直通道结构设置在穿过导电条带堆叠结构的开孔中。电荷储存结构设置在导电条带和垂直通道结构的交叉点处,电荷储存结构包括多重材料层。绝缘层具有从垂直通道结构向内凹陷的侧壁。电荷储存结构的多重材料层的电荷储存层设置于绝缘层的侧壁。介电材料设置在垂直通道结构和位于绝缘层侧壁上的电荷储存层之间。 | ||
搜索关键词: | 立体 nand 存储器 锯齿 电荷 储存 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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