[发明专利]一种刻蚀WO3纳米薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910137132.1 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN109692678A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 刘灿军;陈述;宋志文;王京晶;陈立衡;谷慧 | 申请（专利权）人： | 湖南科技大学 |
| 主分类号： | B01J23/30 | 分类号： | B01J23/30;B01J35/06 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 | 代理人： | 韩冬 |
| 地址： | 411201 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米结构的制造或处理技术领域，为一种刻蚀WO3纳米薄膜的方法。通过将WO3纳米薄膜表面吸附Bi3+，经过450~600℃高温处理，得Bi2WO6/WO3纳米薄膜；将Bi2WO6/WO3纳米薄膜置于含硫反应液中发生水热反应，得Bi2S3/WO3纳米薄膜；将Bi2S3/WO3纳米薄膜进行酸处理，干燥，得刻蚀后表面粗糙度均匀的WO3纳米薄膜。由此，通过本发明方法，将纳米催化剂材料的表面刻蚀，能进一步提高光催化剂材料的表面积，从而显著提高表面催化活性位点。解决了目前缺乏简单易行的方法刻蚀WO3基半导体纳米材料表面的问题。与现有技术相比，本发明的方法具有简单易行、易于操作、成本低廉和刻蚀后的WO3纳米薄膜表面粗糙程度均匀的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米薄膜 刻蚀 半导体纳米材料 光催化剂材料 纳米催化剂 表面催化 表面刻蚀 表面吸附 高温处理 活性位点 纳米结构 生水 粗糙度 后表面 热反应 酸处理 制造 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀WO3纳米薄膜的方法，包括以下步骤：步骤一：将WO3纳米薄膜表面吸附Bi3+，经过450~600℃高温处理，得Bi2WO6/WO3纳米薄膜；步骤二：将所述Bi2WO6/WO3纳米薄膜置于含硫反应液中发生水热反应，得Bi2S3/WO3纳米薄膜；步骤三：将所述Bi2S3/WO3纳米薄膜进行酸处理，干燥，得刻蚀后表面粗糙度均匀的WO3纳米薄膜。
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