[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板、显示屏及显示设备有效
申请号: | 201910138428.5 | 申请日: | 2019-02-25 |
公开(公告)号: | CN109950252B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 王刚;张露;李威龙;韩珍珍;胡思明 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 成珊 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板、显示屏及显示设备,该方法包括:在衬底上制备有源材料,通过第一掩膜板图形化有源材料形成有源层;在有源层上制备第一绝缘材料,通过复用第一掩膜板对第一绝缘材料进行弱曝形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上制备第一导电材料,通过第二掩膜板图形化第一导电材料形成栅极层;在栅极层上制备第二绝缘材料,通过复用第二掩膜板对第二绝缘材料进行弱曝,形成层间绝缘层。该方法通过复用第一掩膜板形成覆盖有源层上表面及侧壁的栅极绝缘层;通过复用第二掩膜板形成覆盖栅极层上表面及侧壁的层间绝缘层;栅极绝缘层和层间绝缘层仅覆盖必要区域,最大限度地去除无机膜层,提高了阵列基板的整体弯折性。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示屏 显示 设备 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:在衬底(1)上制备有源材料,通过第一掩膜板对所述有源材料进行图形化形成有源层(4);在所述有源层(4)上制备第一绝缘材料,通过复用所述第一掩膜板对所述第一绝缘材料进行弱曝,形成栅极绝缘层(5);在所述栅极绝缘层(5)上制备第一导电材料,通过第二掩膜板对所述第一导电材料图形化形成栅极层(6);在所述栅极层(6)上制备第二绝缘材料,通过复用第二掩膜板对所述第二绝缘材料进行弱曝,形成层间绝缘层(10)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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