[发明专利]发光器件表面粗化的方法与发光器件在审
| 申请号： | 201910141506.7 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN109873059A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张丽旸;程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开提供一种发光器件表面粗化的方法及发光器件，属于半导体领域。根据本发明的表面粗化的方法包括如下步骤：在发光结构上制备三维岛状生长的第一外延层；在所述第一外延层上制备不连续的第二外延层。本发明的表面粗化方法，方法简便，效率提升，在外延生长工艺之外，无需采用诸如湿法刻蚀、光子晶体等额外的工艺来对外延层表面进行进一步加工，可以在同一反应设备中通过一种工艺就可以实现。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 发光器件表面 表面粗化 发光器件 粗化 制备 三维岛状生长 外延生长工艺 半导体领域 发光结构 反应设备 光子晶体 湿法刻蚀 效率提升 不连续 加工 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件表面粗化的方法，其特征在于，包括如下步骤：a.在发光结构上制备三维岛状生长的第一外延层；及b.在所述第一外延层上制备不连续的第二外延层。
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